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【图文简介】图1以MoTe2器件为例验证SBFET模型a)在室温下测量的MoTe2器件的漏极电流-栅极电压特性曲线(红色空心圆)，电设蓝线表示根据SBFET模型的模拟结果，电设内插为该装置的相应光学显微镜图像，三种不同电荷载流子注入模式标记为i-iii。发展d)不同栅极电压下的某一接触端子处的能带示意图。

b)不同偏压下，阶段技术及市MoTe2器件在SiO2上的全部(实线)和沟道部分(虚线)的漏极电流密度-栅极电压特性曲线。投稿以及内容合作可加编辑微信：门槛cailiaokefu，我们会邀请各位老师加入专家群。配用文献链接：UncoveringtheConductionBehaviorofvanderWaalsAmbipolarSemiconductors(Adv.Mater.,2018,DOI:10.1002/adma.201805317)本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。

电设数值模拟结果表明肖特基势垒场效应晶体管(SBFET)模型可以完全解释双极性vdWS。发展图3完全置于hBN上的MoTe2SBFET电子特性a)单层MoTe2置于厚hBN上器件的光学显微镜图像。

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